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广东晶体晶振

发布日期:2022-08-30 01:46   来源:未知   阅读:

  石英晶体硬度及理化性质稳定,频率基本不随温度变化,深圳图库图源总库图,由此产生的内部振荡损失也很小,非常适合精密制造。同时,区别于传统的机械式加工生产方式,改良的制程更便于批量生产,可以在保证小型化的同时把偏差控制在很小限度内,从而使产品具备小型化、低耗电、高稳定、高频率的优势。应用MEMS技术的微型化产品与传统机械加工生产的晶振前端工艺区别为:1)微型化产品切割环节不是一次性切割成为单个音叉晶体单元,而是首先切割成可以分隔上千支晶片单元的大方片;2)音叉晶片及电极成型环节采用双面光刻工艺,在WAFER片上进行光刻、金属蒸镀、激光调频等集成处理,单个音叉单元尺寸极小。5G带动晶振缺货涨价背后,国产小尺寸晶振需求难解。广东晶体晶振

  恒温控制晶体振荡器(OCXO)对于某些应用,TCXO的频率-温度稳定度指标仍无法满足要求。在这些情况下,可能需要OCXO。顾名思义,具有烤腔的振荡器将晶体加热到更高温度,但仍受控制,使得环境温度即使变化大,晶体的温度也保持稳定。由于晶体的温度和振荡器的敏感部份变化很小,频率-环境温度稳定度得到显着改善。在环境温度范围内,OCXO的稳定度可以达到0.001ppm。然而,这种稳定度的提升是以增加功耗为代价的,将热量提供给烤腔当然需要能量。典型的OCXO可能需要1到5W的功率以维持内部温度。在开机后,还需要等待温度和频率稳定的暖机时间,取决于晶体振荡器的类型,暖机时长通常从1分钟到10多分钟。黑龙江有源晶振晶振晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。

  石英钟走时准、耗电省、经久耐用为其很大优点。不论是老式石英钟或是新式多功能石英钟都是以石英晶体振荡器为重要电路,其频率精度决定了电子钟表的走时精度。从石英晶体振荡器原理的示意图中,其中V1和V2构成CMOS反相器石英晶体Q与振荡电容C1及微调电容C2构成振荡系统,这里石英晶体相当于电感。振荡系统的元件参数确定了振频率。一般Q、C1及C2均为外接元件。另外R1为反馈电阻,R2为振荡的稳定电阻,它们都集成在电路内部。故无法通过改变C1或C2的数值来调整走时精度。www.374374.com,但此时我们仍可用加接一只电容C有方法,来改变振荡系统参数,以调整走时精度。根据电子钟表走时的快慢,调整电容有两种接法:若走时偏快,则可在石英晶体两端并接电容C,如图4所示。此时系统总电容加大,振荡频率变低,走时减慢。若走时偏慢,则可在晶体支路中串接电容C。如图5所示。此时系统的总电容减小,振荡频率变高,走时增快。只要经过耐心的反复试验,就可以调整走时精度。因此,晶振可用于时钟信号发生器。

  芯片和晶振的材料是不同的,芯片(集成电路)的材料是硅,而晶体则是石英(二氧化硅),没法做在一起,但是可以封装在一起,目前已经可以实现了,但是成本就比较高了。原因3、晶振一旦封装进芯片内部,频率也固定死了,想再更换频率的话,基本也是不可能的了,而放在外面,就可以自由的更换晶振来给芯片提供不同的频率。有人说,芯片内部有PLL,管它晶振频率是多少,用PLL倍频/分频不就可以了,那么这有回到成本的问题上来了,100M的晶振集成到芯片里,但我用不了那么高的频率,我只想用10M的频率,那我为何要去买你集成了100M晶振的芯片呢,又贵又浪费。如果使用内部RC振荡器而不使用外部晶振,请按照如下方法处理:1)对于100脚或144脚的产品,OSC_IN应接地,OSC_OUT应悬空。2)对于少于100脚的产品,有2种接法:i)OSC_IN和OSC_OUT分别通过10K电阻接地。此方法可提高EMC性能。ii)分别重映射OSC_IN和OSC_OUT至PD0和PD1,再配置PD0和PD1为推挽输出并输出0。此方法可以减小功耗并(相对上面i)节省2个外部电阻。你知道晶振的主要参数以及工作原理吗?

  3、输入电压和功率任何类型的晶振通常都可以被设计为利用系统中已有的DC输入电源电压来操作。在数字系统中,通常希望使用与振荡器将驱动的系统中的逻辑器件所使用的电压相匹配的电压来驱动晶振,以便逻辑电平是直接兼容的。+3.3V或+5V是这些数字单元的典型输入。具有较高功率输出的其它器件可以使用较高电压,例如+12V或+15V。另一个考虑因素是为器件供电所需的电流量。XO或TCXO可能只需要几mA,因此在低电压系统中,其功耗可以小于0.01W。另一方面,在上电时,一些OCXO可以需要5W或6W。石英晶体振荡器的主要参数。湖北晶振引脚

  多重市场拉动晶振需求 全球大厂加速扩产应对 国内厂商迎订单转移机遇。。广东晶体晶振

  电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路,形成放大器,当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振,由于晶体的Q值非常高,因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。过去,曾经试验此电路的稳定性时,试过从100K~20M都可以正常启振,但会影响脉宽比的。晶体的Q值非常高,Q值是什么意思呢?晶体的串联等效阻抗是Ze=Re+jXe,RejXe,晶体一般等效于一个Q很高很高的电感,相当于电感的导线电阻很小很小。Q一般达到10^-4量级。避免信号太强打坏晶体的。电阻一般比较大,一般是几百K。串进去的电阻是用来限制振荡幅度的,并进去的两颗电容根据LZ的晶振为几十MHZ一般是在20~30P左右,主要用与微调频率和波形,并影响幅度,并进去的电阻就要看ICspec了,有的是用来反馈的,有的是为过EMI的对策可是转化为并联等效阻抗后,Re越小,Rp就越大,这是有现成的公式的。晶体的等效Rp很大很大。外面并的电阻是并到这个Rp上的,于是,降低了Rp值-----增大了Re-----降低了Q广东晶体晶振

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